QJD1210011
- 제조사
- Powerex Inc.
- 공급업체
- VBOM
- 패키지
- Module
- 설명
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- 재고
- 재고 있음
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제품 사양
- Mfr
- Powerex Inc.
- Series
- -
- Package
- Bulk
- Technology
- Silicon Carbide (SiC)
- FET Feature
- -
- Power - Max
- 900W
- Configuration
- 2 N-Channel (Dual)
- Mounting Type
- Chassis Mount
- Package / Case
- Module
- Product Status
- Active
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5V @ 10mA
- Base Product Number
- QJD1210
- Operating Temperature
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 25mOhm @ 100A, 20V
- Supplier Device Package
- Module
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 500nC @ 20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200V (1.2kV)
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 10200pF @ 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 100A (Tc)