IRFD9113
- 제조사
- Harris Corporation
- 공급업체
- VBOM
- 패키지
- 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- 포장
- Bulk
- 설명
- -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
- 재고
- 재고 있음
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제품 사양
- Mfr
- Harris Corporation
- Series
- -
- Package
- Bulk
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Feature
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Product Status
- Active
- Vgs(th) (Max) @ Id
- -
- Base Product Number
- IRFD9113
- Operating Temperature
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.6Ohm @ 300mA, 10V
- Power Dissipation (Max)
- -
- Supplier Device Package
- 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 15 nC @ 15 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 250 pF @ 25 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 600mA (Ta)