IRFD322
- 제조사
- Harris Corporation
- 공급업체
- VBOM
- 패키지
- 4-DIP, Hexdip
- 포장
- Bulk
- 설명
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 재고
- 재고 있음
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제품 사양
- Mfr
- Harris Corporation
- Series
- -
- Package
- Bulk
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Feature
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Product Status
- Active
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.5Ohm @ 250mA, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 1W (Tc)
- Supplier Device Package
- 4-DIP, Hexdip
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 15 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 400 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 455 pF @ 25 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 400mA (Tc)