GAN190-650FBEZ
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- 공급업체
- VBOM
- 패키지
- DFN5060-5
- 납기
- 12 Weeks
- 포장
- Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
- 설명
- 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
- 재고
- 재고 있음
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제품 사양
- Mfr
- Nexperia USA Inc.
- Series
- -
- Package
- Tape & Reel (TR)
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +7V, -1.4V
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- FET Feature
- -
- Mounting Type
- Surface Mount, Wettable Flank
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- Product Status
- Active
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 12.2mA
- Base Product Number
- GAN190
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 190mOhm @ 3.9A, 6V
- Power Dissipation (Max)
- 125W (Ta)
- Supplier Device Package
- DFN5060-5
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.8 nC @ 6 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 96 pF @ 400 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 11.5A (Ta)