31DF6 B0G
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 공급업체
- VBOM
- 패키지
- DO-201AD
- 설명
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- 재고
- 재고 있음
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제품 사양
- Mfr
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Speed
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Series
- -
- Package
- Bulk
- Technology
- Standard
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- DO-201AD, Axial
- Product Status
- Active
- Base Product Number
- 31DF6
- Capacitance @ Vr, F
- -
- Supplier Device Package
- DO-201AD
- Reverse Recovery Time (trr)
- 35 ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 20 µA @ 600 V
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 600 V
- Current - Average Rectified (Io)
- 3A
- Operating Temperature - Junction
- -40°C ~ 150°C
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.7 V @ 3 A